特許

J-GLOBAL ID：200903051744908794

ガスセンサおよびその製造方法

発明者： 河田 泰之
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048946
公開番号（公開出願番号）：特開平5-249061
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】感度に優れ、製造容易なガスセンサを得る。【構成】所定角度にオフカットしたシリコン基板2上に第一の絶縁層12、ヒータ6、第二の絶縁層13、ガス感応体9順次積層し次いで空洞部11を穿設してヒータやガス感応体の配設されたダイアフラムを形成し、シリコン基板の結晶配向性や表面凹凸によりガス感応体9の結晶配向性や表面凹凸を制御し感度の高いセンサを得る。また第一の絶縁層は熱酸化膜3に窒化シリコン膜4を積層して内部応力を相殺し、製造時のダイアフラムの損傷を防止する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、この基板の一方の主面に支持される順次積層された第一の絶縁層と、ヒータと、第二の絶縁層と、ガス感応体とを有し、シリコン基板は所定角度でオフカットされた基板で、前記一方の主面に対する他の主面に開口部を有し且つ第一の絶縁層に達する空洞部を備え、前記順次積層された第一の絶縁層と、第二の絶縁層は前記空洞部上に張り出してダイアフラムとなるものであり、第一の絶縁層は、熱酸化膜と、窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜が順次積層されてなり、ヒータは前記ダイアフラム内に配置され、ガス感応体は前記ダイアフラム上に配置されるものであることを特徴とするガスセンサ。