特許
J-GLOBAL ID：200903051748956645
プラズマエッチング用電極
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-178178
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026435
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 電極消耗に伴うエッチング速度の変動低減を行うことによって、シリコンウエハのプラズマエッチング加工時の不良を防止し、さらには品質を均一化できるプラズマエッチング用電極を提供する。【解決手段】 厚さ方向にガス吹出し穴が設けられているプラズマエッチング用電極において、厚さをTとすると、プラズマにさらされる側の電極表面から0.5T以上で0.9T以下の範囲の深さまでのガス吹出し穴の穴径(D)と残りの厚さ部分のガス吹出し穴の穴径(d)とが異なり、dが0.4D以上で0.7D以下であるガス吹出し穴を有してなるプラズマエッチング用電極。
請求項（抜粋）：
厚さ方向にガス吹出し穴が設けられているプラズマエッチング用電極において、厚さをTとすると、プラズマにさらされる側の電極表面から0.5T以上で0.9T以下の範囲の深さまでのガス吹出し穴の穴径(D)と残りの厚さ部分のガス吹出し穴の穴径(d)とが異なり、dが0.4D以上で0.7D以下であるガス吹出し穴を有してなるプラズマエッチング用電極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
