特許
J-GLOBAL ID：200903051749972202
半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-357059
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183366
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 電力用の半導体素子を高耐圧化させる。【解決手段】 逐次増幅型フィールドリミティングリング41上にフィールドプレートリング44を形成する半導体素子1において、素子面中央部付近の主アノード拡散層2aと副アノード拡散層2bから構成されるP型アノード拡散層2上には、所定の厚さの酸化膜101、102を施すと共に、アノード電極3をアノード領域から半導体基板の放射方面に向けて設ける。アノード電極3は、アノード主極3aとフィールドリミティングリング3bとを酸化膜(熱酸化膜101、CVD酸化膜102)により所定の間隔を隔てて設けるによって構成されている。また、前記アノード拡散層2a、2bは、所定の不純物濃度のアノード連結領域4を形成して接合されている。
請求項（抜粋）：
比較的低濃度のN型半導体から成る円盤状半導体基板の一方の主面側には比較的高濃度のN型半導体のカソード領域を形成し、そのカソード領域表面にカソード電極を設け、前記半導体基板の他方の主面側中央部にはP型半導体のアノード領域を形成すると共に、その半導体基板の他方の主面側外周部にはP型半導体から成るフィールドリミティングリング複数個を、その各フィールドリミティングリング間の間隔が逐次増幅するように形成し、前記半導体基板の他方の主面側における外周部表面に所定厚さの酸化膜を設けると共に、その酸化膜における前記の各フィールドリミティングリングが位置する一部分に溝部をそれぞれ形成し、前記アノード領域と、前記の各溝部を含む前記酸化膜表面における各フィールドリミティングリングが位置する部分とに対して、前記半導体基板の放射方向に向けて、アノード電極、フィールドプレートリングをそれぞれ所定の間隔を隔てて設けて構成される半導体素子において、前記アノード拡散層を複数のアノード拡散層に形成するとともに、各アノード拡散層をアノード連結層で接合し、そのアノード連結層の不純物濃度を抵抗率が最低となる最大不純物濃度の範囲内に設定し、前記他方の主面側におけるアノード拡散層表面に所定の厚さの酸化膜を設けると共に、アノード電極をアノード領域から前記半導体基板の放射方向に向けて設けたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/91 D
, H01L 29/74 G
, H01L 29/74 B
