特許
J-GLOBAL ID：200903051755468508
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 敬一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-010209
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218305
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の半田による静電容量を低減する。【解決手段】 半導体装置の外部リード(5)の本体部(5a)に複数の開口部(6)を互いに離間して形成し、複数の開口部(6)の各々に半田(9)を充填して、半田(9)の各下端部を第1の電極(2)の上端部に固着する。隣合う開口部(6)内の半田(9)の間に形成した間隙(7)により半田(9)を互いに分離させる。これにより、半田(9)は、第1の電極(2)に電気的に接続され、第2の電極(3)上に被さる半田(9)の領域を著しく減少する。
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する第1の半導体領域及び第2の導電型を有する第2の半導体領域が一方の主面に形成された半導体基体と、前記第1の半導体領域に電気的に接続された第1の電極と、前記第2の半導体領域に対向して且つ前記第1の電極から電気的絶縁状態で配置された複数の第2の電極と、前記第1の電極に電気的に接続された外部リードとを備えた半導体装置において、前記外部リードの本体部に複数の開口部を互いに離間して形成し、前記複数の開口部の各々に導電性の接着剤を充填して、前記接着剤の各下端部を前記第1の電極の上端部に固着し、隣合う前記開口部内の接着剤の間に形成した間隙により前記接着剤を互いに分離させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/48
, H01L 21/60 301
H01L 23/48 G
, H01L 21/60 301 A
