特許

J-GLOBAL ID：200903051756901434

半導体膜の特性推定方法及びそれを用いた光起電力素子の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法

発明者： 高田 健司 ,  吉野 豪人 ,  木曾 盛夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-023549
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231983
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の略全体の特性を部分的且つ離散的な特性測定に基づいて高い精度で推定可能な半導体膜の特性推定方法、さらには特性検査工程のタクトの向上を図り、低コスト化を実現できる光起電力素子及び太陽電池モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体膜の特性を部分的且つ離散的に測定し、この測定結果から非測定部分の特性を推定するに際し、非測定部分を基準として予め得られている半導体膜の形成条件に起因する特性の分布の最も小さな方向に存在する測定部分の特性のみを用いて推定を行う。

請求項（抜粋）：

少なくとも半導体膜を形成した後、前記半導体膜の特性を部分的且つ離散的に測定し、前記測定の結果から非測定部分の特性を推定する方法において、前記非測定部分の特性の推定は、前記非測定部分を基準として予め得られている前記半導体膜の形成条件に起因する前記特性の分布の最も小さな方向に存在する測定部分の特性のみを用いることを特徴とする半導体膜の特性推定方法。

FI (2件)：

H01L 31/04 K ,  H01L 31/04 T

Fターム (11件)：

5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051BA14 ,  5F051CA22 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5F051FA23 ,  5F051GA05 ,  5F051KA09