特許

J-GLOBAL ID：200903051769553869

SOIトレンチ構造およびその製造方法

発明者： ゼックマダシル・ヴェレユドハン・ラジーバクマール
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236400
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116037
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【課題】 安価な普通のウェハを用いて製造することのできるSOI DRAMセルを提供する。【解決手段】 SOIサブストレート1を準備し、サブストレートにトレンチをエッチングし、トレンチの壁の上に、酸化物を形成し、トレンチ内の酸化物上にマスキング層を形成し、トレンチの上部から、マスキング層を除去し、トレンチの上部にマスキング・カラーを形成し、このマスキング・カラー上に露出した酸化物帯4を残し、トレンチ内の露出した酸化物帯を酸化して、サブストレートの表面の下側の、サブストレート内に環状酸化物領域を形成する。

請求項（抜粋）：

SOIトレンチ構造を製造する製造方法であって、SOIサブストレートを準備し、前記サブストレートにトレンチをエッチングし、前記トレンチの壁の上に、酸化物層を形成し、前記トレンチ内の前記酸化物層上にマスキング層を形成し、前記トレンチの上部から、前記マスキング層を除去し、前記トレンチの上部にマスキング・カラーを形成し、このマスキング・カラー上に露出した酸化物帯を残し、前記トレンチ内の前記露出した酸化物帯を酸化して、前記サブストレートの表面の下側の、前記サブストレート内に環状酸化物領域を形成する、SOIトレンチ構造の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 27/10 671 C ,  H01L 27/10 625 A ,  H01L 29/78 613 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-208963
  
• 特開平4-212451