半導体素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217871
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064355
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】半導体素子中の結晶格子欠陥の発生を防止する。【解決手段】シリコン基板11上にゲート酸化膜12を形成し、更にポリシリコンを堆積する。次に、ホトリソ工程を経た後、前記ポリシリコンをパターニングしてゲート電極13を形成する。その後、全面にシリコン酸化膜等の薄膜14を堆積する。薄膜14の膜厚は、後のイオン注入工程でのイオン注入量に基づいてアモルファス層15の深さを予め算出し、この深さの4倍以上とする。薄膜14を通して、シリコン基板11にヒ素イオン(As+)を注入する。すると、シリコン基板11の表面にアモルファス層15が形成される。熱処理を行なうことにより、不純物の活性化と共に、アモルファス層15の再結晶化が行なわれるが、[111]面が現れないので、[100]方位に垂直の方位のエピタキシャル成長のみが起こり、端部に結晶格子欠陥の無い不純物拡散層16が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記半導体基板の不純物非拡散領域上に前記絶縁膜を介したマスクを形成するマスク形成工程と、前記半導体基板の上方から不純物のイオンを注入し、該半導体基板の不純物拡散領域の表面にアモルファス層を形成するイオン注入工程と、前記不純物のイオンが注入された前記半導体基板を所定の温度で熱処理して前記アモルファス層を結晶化する熱処理工程とを、行う半導体素子の製造方法において、前記マスクが形成された半導体基板における露出した前記絶縁膜を成長させ、該成長後の絶縁膜の厚さが、後の前記イオン注入工程で形成されるアモルファス層の厚さが該絶縁膜がない場合に形成される厚さの20%以下になるようにする絶縁膜成長工程を施した後、前記イオン注入工程と前記熱処理工程とを行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/265

FI (5件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/265 Q , H01L 21/265 A , H01L 21/265 H , H01L 29/78 301 Y

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