特許

J-GLOBAL ID：200903051772312490

酸化物電子装置

発明者： 波頭 経裕
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-097816
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283773
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 本発明では、極めて簡単な手段に依って、酸化物半導体と中間層との電子親和力、即ち、接触面に於ける空乏層に起因するバリヤ高さに依っては動作電圧が決定されない構造を実現し、動作電圧の低減を図ろうとする。【解決手段】 電極3とコンタクトする為の中間層2が積層形成された酸化物半導体1と、酸化物半導体1及び中間層2の積層界面側の酸化物半導体1表面近傍にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層5とを備える。

請求項（抜粋）：

電極とコンタクトする為の中間層が積層形成された酸化物半導体と、該酸化物半導体及び該中間層の積層界面側の酸化物半導体表面近傍にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層とを備えてなることを特徴とする酸化物電子装置。

IPC (4件)：

H01L 29/88 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

H01L 29/88 F ,  H01L 29/06 ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 29/78 622

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 酸化物負性抵抗素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-089249   出願人：富士通株式会社
• 誘電体ベーストランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-294177   出願人：富士通株式会社