特許

J-GLOBAL ID：200903051776268053

MISトランジスタの作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-359156
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204248
出願日： 1992年12月26日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【構成】 MISトランジスタの作製方法に関して、ゲイト電極部形成後に、絶縁被膜を通して高速イオンを照射することによって不純物を半導体領域中に自己整合的に注入したのち、前記絶縁被膜を全て除去して、レーザー光もしくはそれと同等な強光を照射することによって、不純物の注入された半導体領域の活性化をおこなうことを特徴とする作製方法。

請求項（抜粋）：

半導体領域上に絶縁被膜を形成する工程と、前記絶縁被膜を通して、前記半導体領域中に不純物元素を導入する工程と、前記絶縁被膜を除去する工程と、露出された前記半導体領域にレーザーもしくはそれと同等な強光を上面から照射して、前記半導体領域の結晶性を向上せしめる工程とを有するMISトランジスタの作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 B ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-034434