特許

J-GLOBAL ID：200903051777403701

半導体装置と熱伝達機構

発明者： 水越 正孝
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-167854
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013627
出願日： 1991年07月09日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 搭載された半導体素子の電子回路形成面が基板と対向する半導体装置、特に半導体素子の熱を外部に放熱させる熱伝達機構に関し、半導体素子の熱膨張係数に関係無く蓋材の材質を選択することが可能で、しかも半導体素子の熱を容易に外部に放熱できる半導体装置と熱伝達機構の提供を目的とする。【構成】 電子回路形成面が基板2と対向するよう基板2に搭載されてなる半導体素子1、および半導体素子1の背面に設けられ周縁部が基板2に半田付けされた金属からなる蓋材5を有し、半導体素子1の背面と蓋材5の間に少なくとも1個の熱伝達機構6を介在させてなるように構成する。

請求項（抜粋）：

電子回路形成面が基板(2) と対向するよう該基板(2) に搭載されてなる半導体素子(1) 、および該半導体素子(1)の背面に設けられ周縁部が該基板(2) に半田付けされた金属からなる蓋材(5) を有し、該半導体素子(1) の背面と該蓋材(5) の間に少なくとも1個の板ばね状熱伝達機構(6) を介在させてなることを特徴とする半導体装置。