特許

J-GLOBAL ID：200903051790683624

半導体装置およびその製造方法

発明者： 深瀬 克哉 ,  田中 正人
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012961
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178043
出願日： 1989年09月06日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 小型化が図れると共に、耐環境性にも優れる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ18と回路パターン12とがフリップチップ法あるいはTAB方式によって接続され、回路パターン12の半導体チップ18が搭載された一方の面側に、半導体チップ18および回路パターン12が一体に樹脂封止され、回路パターンの他方の面に外部接続用の端子部24が設けられ、該回路パターン12の他方の面が、外部接続用の端子部等の所要個所を除いて、電気的絶縁性を有するフィルム30によって被覆されていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

電気的絶縁性を有するベースフィルムの一方の面側に回路パターンが形成され、半導体チップが前記回路パターンとフリップチップ法あるいはTAB方式によって電気的に接続されて搭載され、前記ベースフィルムの一方の面側に、前記半導体チップおよび回路パターンが一体に樹脂封止され、前記ベースフィルムの所要部位が除去されてベースフィルムの他方の面側に露出する、前記回路パターンの外部接続用の端子部が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/50

FI (2件)：

H01L 21/60 311 R ,  H01L 23/50 S