特許
J-GLOBAL ID：200903051793358619
酸化物によりキャップされたケイ化チタン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-362107
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347271
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】 酸化物キャップの異方性ドライ・エッチングを除去し、酸化物によりキャップされた2ケイ化チタン形成方法を提供する。【構成】 通常の酸化物によりキャップされた2ケイ化チタン・プロセス法のチタン層と酸化物キャップとの間に、窒化チタン層を堆積させる。窒素ガスをチタン・スパッタ装置に流して一定の厚さの金属チタンを堆積させ、窒化チタン層を本来の位置に堆積させ、この窒化チタン層上に通常の酸化物キャップを堆積させる。通常のチタン反応プロセスにより2ケイ化チタンを形成させる。窒化チタン層をエッチング・ストップとして作用させ、ウエット・エッチングにより酸化物キャップを除去可能にさせる。このようにして、等方性のウエット・エッチングを用いて全ての酸化物キャップ層を除去する。等方性のウエット・エッチングは、好ましくは、10%の緩衝剤で処理されたHFエッチングである。
請求項（抜粋）：
部分的に作成された集積回路構造を有する基板を得る工程であって、前記集積回路構造が本質的にシリコンからなる露出部分を含む工程と、前記露出部分上に金属層を堆積する工程と、前記金属層上に窒化金属層を堆積する工程と、前記窒化金属層上に直接重なった誘電体層を設ける工程であって、前記誘電体層が酸化物を有する工程と、前記金属層の部分がシリコンからなる前記露出部分と反応して金属ケイ化物を形成するまで、熱を加える工程であって、前記誘電体層が金属層を介する実質的なシリコンの外方拡散を阻止する工程と緩衝剤で処理されたHF溶液を約60秒又はそれ以下適用するエッチイング処理により、選択した前記誘電体層の部分を除去する工程とを備えた集積回路デバイス製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/306
, H01L 21/336
, H01L 29/784
