特許

J-GLOBAL ID：200903051794857295

ボトム・ゲート型薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 金谷 康弘 ,  鈴木 信明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-094410
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302909
出願日： 1994年05月06日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】電子の移動度を改善して電気的特性を向上させる。【構成】ボトム・ゲート型の薄膜トランジスタであって基板上に形成された半導体層をアニール処理して結晶化するに際し、ガラス基板12側からアモールファスシリコンなどが使用された半導体層20に向かうように引力(重力若しくは遠心力)がかけられると共に、その状態で半導体層20側よりレーザが照射されて半導体層20をアニール処理する。このアニール処理によってシリコン粒子のうち大きなシリコン粒子30aは引力と反対側に移動して集積し、小さなシリコン粒子30bは引力と同じ方向に移動して集積する。半導体層20内の電子はゲート絶縁膜16の界面側を流れる。この界面側には上述した大きなシリコン粒子が集積されているためここを流れる電子の移動度が大きくなり、結果的にトランジスタの電気的特性を改善できる。

請求項（抜粋）：

ボトム・ゲート型の薄膜トランジスタを製造するに当たり、基板上に形成された半導体層をアニール処理して結晶化するに際し、上記基板側から半導体層に向かうように引力がかけられると共に、その状態で上記半導体層側よりレーザが照射されて上記半導体層をアニール処理してこの半導体層の結晶化が行われるようになされたことを特徴とするボトム・ゲート型薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12