特許

J-GLOBAL ID：200903051797671150

薄膜多層回路基板の製造方法

発明者： 小澤 隆史
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103289
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299845
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 薄膜多層回路基板の製造方法に関し、バイアホールを効率よく形成することを目的とする。【構成】 基板1上に導体配線層,ポリイミド絶縁層11,導体配線層,・・と交互に積層すると共に、ポリイミド絶縁層11にバイアホール9を設け、このバイアホール9により上下の導体配線層を回路接続する製造工程において、ポリイミド絶縁層への選択露光を行なう光源として、当初はg線を用い、続いてg,h,i混合線を用いて行なうことを特徴として薄膜多層回路基板の製造方法を構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に導体配線層,ポリイミド絶縁層,導体配線層と繰り返し交互に積層すると共に、該ポリイミド絶縁層にバイアホールを設け、該バイアホールにより上下の導体配線層を回路接続する製造工程において、前記ポリイミド絶縁層への選択露光の光源として、当初はg線を用い、次にg,h,i混合線を用いて露光を行なうことを特徴とする薄膜多層回路基板の製造方法。

IPC (5件)：

H05K 3/46 ,  C08G 73/10 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/312