特許

J-GLOBAL ID：200903051799488166

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 安川 裕之 ,  小林 功 ,  伊藤 博人 ,  西尾 さおり ,  丸山 昭 ,  平井 桂
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-132952
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335932
出願日： 2003年05月12日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】電界効果が高く、リーク電流が低減し、オンオフ比が向上し、且つ、ゲート電圧を低減できる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体材料を含む有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、該支持体上に予め、反応性化合物含有層を設ける工程、ついで、該反応性化合物含有層上に有機半導体材料を設けながら、前記反応性化合物と該有機半導体材料とを反応させ、該有機半導体層が形成される工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体材料を含む有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、 該支持体上に予め、反応性化合物含有層を設ける工程、ついで、該反応性化合物含有層上に有機半導体材料を設けながら、前記反応性化合物と該有機半導体材料とを反応させ、該有機半導体層が形成される工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28

Fターム (32件)：

5F110AA01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14