特許

J-GLOBAL ID：200903051803730244

ビーム整形光学系および記録再生装置

発明者： 高橋 義孝
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079356
公開番号（公開出願番号）：特開2000-275567
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】記録再生装置のビーム整形において、記録面上に略円形状の光スポットを安定して形成し、なおかつ十分な光利用効率を確保する。【解決手段】半導体レーザからの光束を、対物レンズにより記録媒体の記録面上に光スポットとして集光させ、情報の記録・再生・消去の1以上を行う記録再生装置において、半導体レーザからの光束を平行光束化するとともに、半導体レーザの活性層に平行な方向の光束径を拡大するビーム整形光学系で、ビーム整形倍率:M、光束径の拡大を行わない方向における焦点距離:fk、半導体レーザの活性層に平行な方向における光束発散角の半値全幅:θP、対物レンズの焦点距離:f0および開口数:NA0により、P=[M・fk・sin(θP/2)]/(f0・NA0)で定義される対物レンズエッジ入射強度:Pが、条件:0.55≦P≦0.9を満足する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザからの光束を、対物レンズにより記録媒体の記録面上に光スポットとして集光させ、情報の記録・再生・消去の1以上を行う記録再生装置において、上記半導体レーザからの光束を平行光束化するとともに、上記半導体レーザの活性層に平行な方向の光束径を拡大するビーム整形光学系であって、ビーム整形倍率:M、光束径の拡大を行わない方向におけるビーム整形光学系の焦点距離:fk 、半導体レーザの活性層に平行な方向における光束発散角の半値全幅:θP、対物レンズの焦点距離:f0および開口数:NA0により、P=[M・fk・sin(θP/2)]/(f0・NA0)で定義される対物レンズエッジ入射強度:Pが、条件:(1) 0.55≦P≦0.9を満足するように、上記ビーム整形倍率:Mおよび焦点距離:fk を設定されたことを特徴とするビーム整形光学系。

IPC (3件)：

G02B 27/09 ,  G02B 13/00 ,  G11B 7/135

FI (3件)：

G02B 27/00 E ,  G02B 13/00 ,  G11B 7/135 A

Fターム (29件)：

2H087KA13 ,  2H087LA26 ,  2H087PA01 ,  2H087PA03 ,  2H087PA17 ,  2H087PB01 ,  2H087PB03 ,  2H087QA02 ,  2H087QA03 ,  2H087QA07 ,  2H087QA14 ,  2H087QA15 ,  2H087QA31 ,  2H087QA34 ,  2H087RA07 ,  2H087RA08 ,  2H087RA42 ,  2H087RA46 ,  5D119AA04 ,  5D119AA43 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5D119JA02 ,  5D119JA08 ,  5D119JA43 ,  5D119JB01 ,  5D119JB02 ,  9A001GG11 ,  9A001KK16