特許
J-GLOBAL ID:200903051804268595
磁気抵抗効果膜とこれを用いた磁気読取りセンサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-171203
公開番号(公開出願番号):特開2001-007420
出願日: 1999年06月17日
公開日(公表日): 2001年01月12日
要約:
【要約】【課題】 スピンバルブ構成における固定磁性構造部が、アモルファス磁性層を有する場合において、磁気抵抗変化率の向上と耐熱性の改善を図る。【解決手段】 規則系反強磁性層1と、これに接合される固定磁性構造部2と、非磁性導電層3と、少なくとも1層以上の磁性層を有する自由磁性層部4とを有し、固定磁性構造部2にアモルファス磁性層5を有する磁気抵抗効果膜であって、そのアモルファス磁性層5と非磁性導電層3との接合を結晶性強磁性中間層61を介在させる構成とする。
請求項(抜粋):
規則系反強磁性層と、これに接合される固定磁性構造部と、非磁性導電層と、少なくとも1層以上の磁性層を有する自由磁性層部とを有し、上記固定磁性構造部にアモルファス磁性層を有する磁気抵抗効果膜であって、上記アモルファス磁性層と上記非磁性導電層との間に第1の結晶性強磁性中間層を介在させて接合されて成ることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
Fターム (6件):
2G017AB05
, 2G017AC04
, 2G017AD55
, 2G017AD56
, 2G017AD63
, 2G017AD65
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