特許

J-GLOBAL ID：200903051808789832

半導体素子

発明者： 村山 雅也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-333046
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166849
出願日： 1991年12月17日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高出力化合物半導体装置について半導体基板とPHSとの接触抵抗を低減させ、素子の動作温度の低下をはかる。【構成】 半導体基板の一方の主面側に形成された動作領域と、前記半導体基板の他方の主面側に形成され前記動作領域に達しない深さの凹凸面部と、前記凹凸面部に密着し形成された放熱用金属層とを具備した半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の主面側に形成された動作領域と、前記半導体基板の他方の主面側に形成され前記動作領域に達しない深さの凹凸面部と、前記凹凸面部に密着し形成された放熱用金属層とを具備した半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/288 ,  H01L 23/36 ,  H01L 29/44

FI (2件)：

H01L 29/80 U ,  H01L 23/36 D