BiCMOSおよびCMOSゲートアレイ用の基本セル

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-110955
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051353
出願日： 1995年05月09日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】サイトの有効活用を実現するゲートアレイ基本セルを得る。【構成】本基本セルは2行のCMOSサイトを含む。各行は小型のCMOSサイトCSと大型のCMOSサイトCLとを含む。小型CMOSサイトCS中のトランジスタゲートは大型CMOSサイトCL中のトランジスタゲートよりも狭い。好ましくは、CSサイトはCLサイトのトランジスタゲートの半分のトランジスタゲートを含み、それによってCSサイトにあるトランジスタゲートを並列接続することでCLサイトにあるトランジスタゲートと電気的に等価なものが構成できるようになっている。

請求項（抜粋）：

ゲートアレイ用の基本セルであって、a.少なくとも1つの行の形に配置された複数個のCMOSサイトであって、第1のゲート幅のトランジスタを有する2つの小型CMOSサイトと、前記第1のゲート幅よりも広い第2のゲート幅のトランジスタを有する2つの大型CMOSサイトとを前記少なくとも1つの行のうちの各々の行の中に含む複数個のCMOSサイト、を含む基本セル。

IPC (6件)：

H03K 19/08 , H01L 21/82 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H03K 19/0948 , H03K 19/173

FI (4件)：

H01L 21/82 W , H01L 21/82 D , H01L 27/04 D , H03K 19/094 B

引用特許：

審査官引用 (9件)

特表平6-508480
特表平6-501813
特開平1-166535

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