特許

J-GLOBAL ID：200903051820718070

半導体装置

発明者： 檜崎 浩
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072285
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235063
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 急激な温度変化が生じた際にICチップに作用する熱応力を均一にすることができる半導体装置を提供する。【構成】 ICチップ4の裏面をマウント材6を介してアイランド24上に接着する。ここで、マウント材6として封止工程において使用する封止樹脂12と同じ材料、すなわちエポキシ接着剤を使用し、ICチップ4の周囲を同じ熱膨張率を有する材料で覆う。

請求項（抜粋）：

半導体素子を封止材料により封止した半導体装置において、前記封止材料と同一の材料を用いて前記半導体素子を所定位置に接着したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/56

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭60-120403
  
• 特開昭61-182511
  
• 特開昭64-068813
  
• 特開昭51-089093
  
• 特開平4-133107