特許
J-GLOBAL ID：200903051823203879
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132112
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342894
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】 データ書き込み時のドレインディスターブを軽減し、選択トランジスタのホットキャリア耐性を向上させることが可能であるにも拘らず、データ読み出し時の電流駆動能力の向上を図ることができる不揮発性半導体メモリ装置を提供すること。【構成】 直列に接続された複数のメモリセル用トランジスタM1〜M8毎に、選択トランジスタを介して主ビット線BLが接続してあり、これらメモリセル用トランジスタM1〜M8には、副ビット線BL’が接続してある不揮発性半導体メモリ装置である。一グループ内の複数のメモリセル用トランジスタM1〜M8の両側に、それぞれ書き込み用第1選択トランジスタST1および読み出し用第2選択トランジスタST2を接続し、これら選択トランジスタST1,ST2を主ビット線BLに接続し、これら第1選択トランジスタST1および第2選択トランジスタST2の特性を相互に異ならしめる。
請求項（抜粋）：
直列に接続された複数のメモリセル用トランジスタ毎に、選択トランジスタを介して主ビット線が接続してあり、これらメモリセル用トランジスタには、副ビット線が接続してある不揮発性半導体メモリ装置であって、上記直列に接続された複数のメモリセル用トランジスタの両側に、それぞれ第1選択トランジスタおよび第2選択トランジスタを接続し、これら選択トランジスタを主ビット線に接続し、これら第1選択トランジスタおよび第2選択トランジスタの特性を相互に異ならしめることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 309 A
