特許

J-GLOBAL ID：200903051823430085

窒化物半導体の製造方法および半導体ウェハならびに半導体デバイス

発明者： 藤倉 序章 ,  鈴木 貴征
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-217985
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063635
出願日： 2002年07月26日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】従来法より短い成長時間で従来より転位密度の低い窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の製造方法および半導体ウェハならびに半導体デバイスを得ること。【解決手段】基板上に1000°C近傍の温度で第1の窒化物半導体を成長しこれに熱処理を施すことで窒化物半導体の微結晶粒を形成し、その上に第2の窒化物半導体を成長することで窒化物半導体を島状に成長させ、さらに第3の窒化物半導体を成長することで上記の島を埋め込み、表面を平坦化する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に1000°C近傍の温度で第1の窒化物半導体を成長しこれに熱処理を施すことで窒化物半導体の微結晶粒を形成し、 その上に第2の窒化物半導体を成長することで窒化物半導体を島状に成長させ、 さらに第3の窒化物半導体を成長することで上記の島を埋め込み、表面を平坦化することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (20件)：

5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16