特許
J-GLOBAL ID：200903051835688576
非対称バリア付き量子井戸
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316017
公開番号（公開出願番号）：特開平7-146455
出願日： 1993年11月22日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 電界吸収型光変調器において、Δαの低下を防ぎ、飽和光強度を増加させること。【構成】 本発明は量子井戸構造に関するもので、図1(a)に示すように井戸層の両脇にあるバリア層のエネルギー障壁の高さが異なることが特徴である。従来は、エネルギー障壁の高さが同じであった。
請求項（抜粋）：
半導体1と半導体1よりバンドギャップの大きい半導体2と、半導体1よりバンドギャップが大きく、かつ半導体2よりバンドギャップが小さい半導体3で構成され、半導体1からなる井戸層の両側をそれぞれ半導体2および半導体3からなるバリア(障壁)層で挟んだことを特徴とする非対称バリア付き量子井戸。
IPC (2件)：
G02F 1/015 505
, H01L 29/06
