特許
J-GLOBAL ID：200903051835971839
高輻射ガラス被覆材料、高輻射ガラス膜、および高輻射ガラス膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-094095
公開番号（公開出願番号）：特開平10-287443
出願日： 1997年04月11日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】高輻射顔料がガラス組織中に分散させられたガラス膜において、製造過程および使用中における高輻射顔料およびガラス組織の界面反応を好適に抑制し得る高輻射ガラス被覆材料、高輻射ガラス膜、および高輻射ガラス膜の製造方法を提供する。【解決手段】四硼化珪素18を覆って設けられ、その四硼化珪素18との界面におけるガラス組織16内の値よりも高い含有率で二酸化珪素を含む所定厚さのシリカガラス膜(シリカガラス層20)を含んでガラスペーストが構成される。そのため、このペーストが基板14の表面12に塗布、焼き付けられて得られるガラス膜10には、四硼化珪素18とガラス組織16との界面に、そのガラス組織16よりも二酸化珪素含有率が高いことから四硼化珪素18との反応性が相対的に低くされたシリカガラス膜(シリカガラス層20)が備えられる。
請求項（抜粋）：
所定の輻射率を有する顔料粒子がガラス組織中に分散させられたガラス膜を所定の構造体の表面に設けるために該表面に塗布されて焼き付けられる高輻射ガラス被覆材料であって、前記顔料粒子を覆って設けられ、該顔料粒子との界面における前記ガラス組織内の値よりも高い含有率で二酸化珪素(SiO2)を含む所定厚さの顔料被覆膜を含むことを特徴とする高輻射ガラス被覆材料。
IPC (5件)：
C03C 8/16
, B32B 17/06
, C09C 3/06
, C09D 5/33
, C09D 7/12
C03C 8/16
, B32B 17/06
, C09C 3/06
, C09D 5/33
, C09D 7/12
