特許
J-GLOBAL ID：200903051842215934
二次電池の充電制御用半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-034564
公開番号（公開出願番号）：特開平5-207673
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 Ni-Cd二次電池とNi-水素二次電池をともに最適に充電できるようにする。【構成】 充電駆動用トランジスタ4を制御するために、MOSトランジスタ14、コンパレータ16、三角波発振器18などを含むスイッチングレギュレータが設けられ、トランジスタ4から平滑回路を経て抵抗を8流れ、二次電池2に供給される電流が一定になるように制御される。二次電池2の陽極電圧がV-Fコンバータ28を経てCPU30で監視され、-ΔV制御がなされる。
請求項（抜粋）：
二次電池に一定電流で充電電流を供給するスイッチングレギュレータと、前記二次電池の電圧を周波数に変換するV-Fコンバータと、前記二次電池の電圧が極大値をすぎ、充電を終了するための所定の電圧だけ低下した電圧に対応した周波数が設定され、前記V-Fコンバータの出力を入力し、そのV-Fコンバータ出力が設定された周波数になったときに充電を停止させる制御部とを備えた半導体装置。
IPC (2件)：
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