特許

J-GLOBAL ID：200903051842768399

磁気抵抗効果膜

発明者： 亀井 一人
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118642
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306733
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 磁性相粒11、非磁性相マトリックス12又は絶縁相マトリックス13のそれぞれにおける結晶粒径や形態を積極的に制御し得るグラニュラー膜の構成が提示されておらず、多層構造の場合に比べて十分大きな磁気抵抗効果を得ることが困難である場合が多い。【解決手段】 下地膜2上に、非磁性相マトリックス12中に磁性相粒11を含む薄膜3が積層された磁気抵抗効果膜10であって、下地膜2がTiまたはAlからなり、非磁性相マトリックス12がTiまたはAlからなり、磁性相粒11がFe、Ni、Coのうちの少なくとも一種からなる磁気抵抗効果膜10を形成する。

請求項（抜粋）：

下地膜上に、非磁性相マトリックス中に磁性相粒を含む薄膜が積層された磁気抵抗効果膜であって、前記下地膜がTiまたはAlからなり、前記非磁性相マトリックスがTiまたはAlのうちの少なくとも一種からなり、前記磁性相粒がFe、Ni、Coのうちの少なくとも一種からなることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (3件)：

H01F 10/08 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (3件)：

H01F 10/08 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10