特許
J-GLOBAL ID：200903051843188426
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-292972
公開番号（公開出願番号）：特開平6-150680
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 電気的に書き込み及び一括消去可能な不揮発性半導体記憶装置においてテスト時に自動書き込み動作/自動消去動作の最大繰り返し回数を通常時よりも小さくすることによりテスト時間を短縮する。【構成】 制御回路7A内に、情報の自動書き込み動作/自動消去動作時の繰り返し回数を所定の最大繰り返し回数まで計数可能なカウンタ7bと、カウンタ7bの計数可能な最大繰り返し回数よりも小さい最大繰り返し回数まで計数可能なカウンタ7bとを備え、通常モード時にはカウンタ7aを用い、テストモード時にはカウンタ7bを用いて、自動書き込み動作/自動消去動作を実行する。
請求項（抜粋）：
電気的に情報の書き込みと消去が可能な不揮発性半導体記憶装置において、情報の自動書き込み動作または自動消去動作時の繰り返し回数を最大繰り返し回数まで計数する第1カウンタと、上記第1カウンタの最大繰り返し回数よりも小さい最大繰り返し回数まで計数する第2カウンタとを有し、通常モード時には上記第1カウンタを用いて自動書き込みまたは自動消去を実行し、テストモード時には上記第2カウンタを用いて自動書き込みまたは自動消去を実行する制御手段を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G11C 29/00 303
