特許

J-GLOBAL ID：200903051846676642

回路導体の形成方法

発明者： 渋谷 秀樹 ,  中井 裕子
出願人/特許権者： 日本ケミコン株式会社
代理人 (1件)： 畝本 正一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089908
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259615
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 フォトレジスト法を応用して高密度化及び高精細度化を実現した回路導体の形成方法を提供する。【構成】 絶縁材料で形成された回路基板(2)の表面に印刷によって第1の導体層(61)を形成する工程と、前記第1の導体層の上に所望のパターンを成すめっきレジスト膜(8)を形成する工程と、前記めっきレジスト膜から露出する前記第1の導体層の上にめっき処理によって第2の導体層(62)を形成する工程と、前記めっきレジスト膜を除去する工程と、前記第2の導体層をマスクにし、前記第2の導体層から露出する前記第1の導体層を除去する工程とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

絶縁材料で形成された回路基板の表面に印刷によって第1の導体層を形成する工程と、前記第1の導体層の上に所望のパターンを成すめっきレジスト膜を形成する工程と、前記めっきレジスト膜から露出する前記第1の導体層の上にめっき処理によって第2の導体層を形成する工程と、前記めっきレジスト膜を除去する工程と、前記第2の導体層をマスクにし、前記第2の導体層から露出する前記第1の導体層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする回路導体の形成方法。