特許

J-GLOBAL ID：200903051846678645

ICパッケージ

発明者： ジョセフ アンソニー アビス ,  アイガー ヴェルジコ カディジャ ,  エドワード ジョン クドラック ジュニア ,  ジョセフ ジョン マイサノ ジュニア
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-163271
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017932
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【課題】 リードフレーム上のはんだ性能を確保しながら、貴金属の量を減少するあるいは金を使用しないリードフレームの処理を提供する。【解決手段】 本発明は、リードフレームのニッケル表面上に貴金属層からなる超薄厚の合成層を提供することである。そしてこの合成層の厚さは、全体で63.5-279.4nmで、ニッケル層(下層)21から順に、12.7-88.9nm厚のパラジューム(あるいは軟あるいは金)のストライク層23と、12.7-127nm厚のパラジューム-ニッケル合金層24からなり、このパラジューム-ニッケル合金層24は、10-90重量%の12.7-127nm厚のパラジューム層25と25.4nm厚の金層26とからなる。この金層は、パラジュームの早いはんだ濡れ性を達成する利点がある。上記の超薄厚のコーティングは、オープンリール式の金属堆積プロセスで層を堆積することにより得られる。

請求項（抜粋）：

保護パッケージ内にシールされたICユニットとリードとを有するICパッケージにおいて、前記リードは、ベース金属層(20)と、前記ベース金属(20)上のニッケル層(21)と、前記ニッケル層(21)上の合成金属層(22)とからなり、前記合成金属層(22)は、その全厚が63.5-279.4nmであり、前記合成金属層は、ニッケル層(21)から順番に12.7-88.9nm厚のパラジュームあるいは軟金ストライク層(23)と、12.7-127nm厚のニッケルが10-90重量%を占めるパラジューム-ニッケル合金層(24)と、12.7-127nm厚のパラジューム層(25)と、オプションとして最大25.4nm厚の金層(26)とを有することを特徴とするICパッケージ。