特許

J-GLOBAL ID：200903051848152098

浅い接合のソース/ドレーンを有するMOSトランジスター及びその製造方法

発明者： 安 鐘現
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-268706
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186544
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 金属-酸化物-半導体(metal oxide semiconductor;MOS)電界効果トランジスター(field effect transistor)及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 浅い接合のソース/ドレーン領域12を有する金属-酸化物-半導体(MOS)電界効果トランジスターは、ソース/ドレーン下に形成された埋没絶縁層6を有する。この埋没絶縁層6は、面抵抗と接触抵抗の減少のためのソース/ドレーンシリサイデイションのための漏洩電流を遮断させることによってデバイスの動作特性を改善させる。

請求項（抜粋）：

金属-酸化物-半導体(MOS)電界効果トランジスターにおいて、素子分離領域とチャンネル領域を有する半導体基板と、前記チャンネル領域上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、前記ゲート電極の側壁上のスペーサーと、前記各側壁スペーサーと前記素子分離領域との間の前記基板の表面に各々形成されたシリサイド層と、前記シリサイド層下に形成された埋没絶縁層と、前記側壁スペーサーの下、そして前記チャンネル領域の両側と、前記各シリサイド層の間に各々形成されたソース/ドレーン領域とを含むことを特徴とするMOSトランジスター。