特許
J-GLOBAL ID：200903051852751249
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296925
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048147
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 発光ダイオードや半導体レーザ等の半導体発光素子に関するものである。特に新奇の化合物を用いた、青色から紫外域の波長まで発光可能な半導体発光素子を提供する。【構成】 GaAs基板1上にn型Cu5AlSe4層2とp型Cu5AlSe4層3を成長させp-n接合をもつ半導体発光素子とする。
請求項（抜粋）：
Cu5AlSe4化合物におけるp型半導体とn型半導体を用いた半導体発光素子。
IPC (2件)：
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