特許
J-GLOBAL ID：200903051853945527
スパッタ成膜方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-135484
公開番号（公開出願番号）：特開平11-323547
出願日： 1998年05月18日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：
【要約】【課題】 スパッタ成膜法において、被成膜体の両端部の薄膜不均一を解消するとともに、ターゲットの有効利用を図る。【解決手段】 真空チャンバ14内でターゲット10に対向して被成膜体15を走行させ、被成膜体15に薄膜を成膜する。このとき、ターゲット10の裏面側のカソードボックス内には、複数の永久磁石12aを内外周磁極として環状に配置し、かつ同複数の永久磁石12aのうち少なくともターゲット10の裏面の永久磁石12aを直線状に配置した第1の永久磁石部12と、この第1の永久磁石部12と同じに永久磁石13aを配置し、かつこの複数の永久磁石13aの内外周磁極を前記第1の永久磁石部12と逆とした第2の永久磁石部13とを前記被成膜体15の走行方向と直角に設けており、前記被成膜体15の走行方向と同方向の磁力線を発生させる。
請求項（抜粋）：
真空チャンバ内でターゲットに対向して被成膜体を走行させる一方、前記真空チャンバ内を排気して所定真空圧とした後に所定ガスを入れ、前記ターゲットと被成膜体の間に放電を起こし、かつ該放電をマグネトロン放電にして前記ガスをイオン化するとともに、該イオン化された正イオンにより前記ターゲットの原子をスパッタリングし、該スパッタリング粒子により前記被成膜体に薄膜を成膜するスパッタ成膜方法において、前記マグネトロン放電を起こして前記ターゲット上に高密度のブラズマを発生させるために、前記ターゲットの上に前記被成膜体の走行方向と同方向のみの磁力線を発生させるようにしたことを特徴とするスパッタ成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/35 C
, H01L 21/203 S
