特許
J-GLOBAL ID：200903051856846368
炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046792
公開番号（公開出願番号）：特開2001-226197
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2001年08月21日
要約：
【要約】【課題】 成長結晶の相対移動に伴なう成長結晶側面の劣化を防止し、長尺方向及び径方向共に均一なSiC単結晶を成長させられるようにする。【解決手段】 SiC単結晶5の外周をSiC単結晶5よりもわずかに口径の大きいガイド6で囲った状態とする。そして、SiC単結晶5の成長に伴って、種結晶保持具2と共にSiC単結晶5を成長方向と逆方向に引き上げ、SiC単結晶5の表面とガイド6の表面6aとがほぼ面一となるようにする。このように、わずかに口径の大きいガイド6でSiC単結晶5を囲うことによって、引き上げによって成長条件の変化したSiC単結晶5の側面が炭化したり、側面への多結晶の付着を防止することができる。これにより、良好なSiC単結晶5を得ることができる。
請求項（抜粋）：
容器(1)内に、炭化珪素単結晶基板で構成された種結晶(3)を配置し、前記種結晶表面にSi含有ガス及びC含有ガスを含む原料ガスを供給して前記種結晶上に炭化珪素単結晶(5)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、前記炭化珪素単結晶の外周を該炭化珪素単結晶よりもわずかに口径の大きいガイド(6)で囲った状態として、前記炭化珪素単結晶の成長に伴って、前記炭化珪素単結晶を前記容器に対して前記成長方向と逆方向に相対移動させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, H01L 33/00 A
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA17
, 4G077EG12
, 4G077EG25
, 5F041AA40
, 5F041CA33
, 5F041CA64
