特許

J-GLOBAL ID：200903051863507226

二次元位相型光学素子の作製方法

発明者： 田中 一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 日比谷 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012881
公開番号（公開出願番号）：特開2000-304913
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 BO素子のレベルを正確に形成する。【解決手段】 基板11にストライプ状のクロムパターン12を形成し、クロムパターン11の上に、ストライプ状のアルミニウムパターン13をクロムパターン12と直交するように形成する。基板11の表面を、双方のパターン12、13が存在しない領域Eと、一方のパターン12のみが存在する領域Fと、他方のパターン13のみが存在する領域Gと、双方のパターン12、13が存在する領域Hとに区分し、これらの領域E〜Fをフォトリソグラフィにより個別に加工してレベルを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にストライプ状の異種材料から成る第1のマスクと第2のマスクを互いに異なる方向に向けて重ねて形成し、これらの第1のマスクと第2のマスクのうちの少なくとも一方を用いて全てのレベルの位置を規定することを特徴とする二次元位相型光学素子の作製方法。

IPC (3件)：

G02B 5/18 ,  G03H 1/04 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G02B 5/18 ,  G03H 1/04 ,  H01L 21/30 515 D

Fターム (23件)：

2H049AA07 ,  2H049AA13 ,  2H049AA33 ,  2H049AA37 ,  2H049AA40 ,  2H049AA44 ,  2H049AA45 ,  2H049AA48 ,  2H049AA55 ,  2K008AA10 ,  2K008EE04 ,  2K008FF12 ,  2K008FF13 ,  2K008FF14 ,  2K008FF27 ,  2K008GG05 ,  2K008HH25 ,  5F046AA02 ,  5F046AA05 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046CA02 ,  5F046CA04

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭63-287801
  
• 光学素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-158480   出願人：富士通株式会社
• 特開昭62-018561
  
• 特開昭59-084205