特許

J-GLOBAL ID：200903051864585557

半導体装置の製造方法

発明者： 服部 弘美 ,  山崎 治 ,  福島 信教 ,  中村 一世
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046714
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082472
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 シリコン基板上に薄い絶縁層5を形成し、この絶縁層をエッチングして第1のコンタクト穴6を開口し、その開口とその近傍にWを含有する導電膜2A,2Bを形成し、絶縁膜10を堆積した後第2のコンタクト穴11を開口し、この開口にCVD-タングステン法14によってコンタクトをWで埋め込む。【効果】 本発明によれば、高アスペクト比のコンタクト穴において良好な埋め込み形状および良好なコンタクト特性が得られるようになる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に薄い絶縁層を形成し、この絶縁層をエッチングして第1のコンタクト穴を開口し、その開口とその近傍にWを含有する導電膜を形成し、絶縁膜を堆積した後第2のコンタクト穴を開口し、この開口に選択CVD-タングステン法又は全面CVD-タングステン法によってWを埋め込み、配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-280425
  
• 特開平4-288824
  
• 特開平3-280425