特許

J-GLOBAL ID：200903051866998948

半導体装置およびその製造方法

発明者： 宮本 誠司 ,  菊地 広 ,  伊東 修 ,  佐藤 俊彦 ,  吉田 育生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-112795
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297911
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 実運転時と同等の条件での検査を確保しつつ冷却能力を高める。【解決手段】 チップ11を封止したMCC14のキャップ23の上面にメタライズ層26を形成しておき、MCC14に放熱フィン27をメタライズ層26に放熱部材取付用半田層29によって取り付ける。この状態で、MCC・LSI10に対する選別検査やバーンイン検査を実施する。その後、放熱フィン27を放熱部材取付用半田層29においてMCC14から外し、MCC14には冷却体をメタライズ層26に形成された放熱部材取付用半田層29によって取り付ける。【効果】 放熱部材取付用半田層が形成可能なメタライズ層をMCCの一主面に形成することにより、MCCに放熱フィンおよび冷却体を交換可能に取り付けできるため、選別検査やバーンイン検査等を実稼働時と同等の条件下で実施でき、精度の高い検査を確保できる。

請求項（抜粋）：

放熱部材取付用半田層が形成可能なメタライズ層が半導体チップを封止したパッケージの一主面に形成されていることを特徴とする半導体装置。