特許

J-GLOBAL ID：200903051873498225

光リソグラフィ用反射防止膜およびその製造方法並びにその使用方法

発明者： 木内 幹保 ,  三村 義昭 ,  町田 克之 ,  安斉 一典 ,  石橋 洋
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217143
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063928
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 反射防止膜として電子サイクロトロン共鳴プラズマ付着法により理想的な光学特性を有する薄膜を低温で制御性良く形成する。【解決手段】 シリコン基板3上にゲート電極となるリンド-プポリシリコン膜4を厚さ0.3μm堆積した後、この上に反射防止膜となるSiOX :H膜5を厚さ約0.1μm堆積する。SiOX :H膜5上にレジスト膜6を塗布してi線ステッパまたはKrFステッパを用いてゲート電極パタンを露光,現像してレジストパタン7を形成した後、これをマスクにしてSiOX :H膜5をエッチングする。レジスト膜6を除去した後、ECRエッチング加工装置によりSiOX :H膜5をマスクにしてCl2 ガスによりポリシリコン膜4をエッチングしてポリシリコン膜4とSiOX :H膜5とからなるゲ-ト電極8を形成する。

請求項（抜粋）：

酸素の組成比が化学量論的組成よりも小さい水素含有SiOX 膜を有することを特徴とする光リソグラフィ用反射防止膜。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/203 ,  C23F 1/00 102

FI (3件)：

H01L 21/30 574 ,  H01L 21/203 S ,  C23F 1/00 102