半導体レーザ装置、その駆動方法及びそれを用いた光通信システム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-126470
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289356
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】2つの活性層に独立に電流注入できる半導体レーザ装置でTEモードとTMモードの偏波のスイッチングを効率良く行なえるレーザ構造である。【解決手段】TMモードの利得が優位な活性層104とTEモードが優位な活性層106が障壁層105を挟んで積層されており、これら2つの活性層104、106は光学的に結合しているが電気的にアイソレートされている。2つの活性層104、106に独立に電流注入ができる様に構成することで、レーザ発振モードがTEモードとTMモードでスイッチングできる。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ装置において、TMモードの利得が優位な活性層とTEモードが優位な活性層が障壁層を挟んで積層されており、該2つの活性層は光学的に結合しているが電気的にアイソレートされていて該2つの活性層に独立に電流注入ができ、該電流注入の量を制御することでレーザ発振モードがTEモードとTMモードでスイッチングすることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 3/18 , H01S 3/096 , H04B 10/28 , H04B 10/02

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01S 3/096 , H04B 9/00 W

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