特許

J-GLOBAL ID：200903051874687331

ランタンで修飾されたチタン酸ジルコニウム鉛(PLZT)の層を形成する方法、PLZTの層を備えたデバイス、及び前駆体形成溶液

発明者： クオ-チョアヌ リィウ
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-176795
公開番号（公開出願番号）：特開2006-001833
出願日： 2005年06月16日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】 ランタンで修飾されたチタン酸ジルコニウム鉛(PLZT)の層を形成する方法等を提供する。【解決手段】 PLZTの層を形成する方法は、(a)材料の層を形成するために、鉛の原子、ランタンの原子、ジルコニウムの原子、チタンの原子、及び一つ以上のジオールの化合物を含む溶液で基体を被覆するステップ、(b)第一の時間周期の間に室温より上の且つ400°C以下の温度まで該材料の層を加熱するステップ、及び(c)その後、続いて第二の時間周期の間に酸素が豊富な雰囲気で500°C以上の温度まで該材料の層を加熱するステップを含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

PLZTの層を形成する方法であって、 (a)材料の層を形成するために、鉛の原子、ランタンの原子、ジルコニウムの原子、チタンの原子、及び一つ以上のジオールの化合物を含む溶液で基体を被覆するステップ、 (b)第一の時間周期の間に室温より上の且つ400°C以下の温度まで該材料の層を加熱するステップ、及び (c)その後、続いて第二の時間周期の間に酸素が豊富な雰囲気で500°C以上の温度まで該材料の層を加熱するステップ を含む方法。

IPC (4件)：

C04B 35/49 ,  G02F 1/035 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/13

FI (4件)：

C04B35/49 Y ,  G02F1/035 ,  G02B6/12 J ,  G02B6/12 M

Fターム (34件)：

2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA03 ,  2H079EA03 ,  2H079EB04 ,  2H079EB05 ,  2H079JA00 ,  2H147AB02 ,  2H147AB32 ,  2H147EA06A ,  2H147EA06B ,  2H147FA17 ,  2H147FA25 ,  2H147FF01 ,  2H147FF05 ,  2H147FF06 ,  2H147FF07 ,  2H147GA19 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031AA40 ,  4G031BA15 ,  4G031BA16 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA05 ,  4G031GA09 ,  4G031GA11