自励発振型半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171790
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331115
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】高温環境においても安定に自励発振を実現することができる自励発振型半導体レーザを提供する。【解決手段】 AlGaInP系の自励発振型半導体レーザにおいて、p型AlGaInPクラッド層4に設けたストライプ部の両側の部分に、n型GaInP層7aおよびその上のn型GaAs層7bからなるn型電流狭窄層7を設ける。n型GaInP層7aの不純物濃度を高くし、そのバンドギャップをGaInP活性層3のバンドギャップよりも大きくする。p型AlGaInPクラッド層4のストライプ部の両側の部分における厚さは300nm以下にする。他の例では、n型GaInP層7aのストライプ部の両側の部分における厚さを50nm以下にして、n型GaInP層7aに-0.1%の歪みをもたせる。n型GaInP層7aの代わりにn型AlGaInP層を用いてもよい。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上の活性層と、上記活性層上の第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記第2のクラッド層に設けられたストライプ部の両側の部分に第1導電型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する自励発振型半導体レーザーにおいて、上記電流狭窄層は、上記第2のクラッド層と接する第1の半導体層と上記第1の半導体層上の第2の半導体層とからなり、上記第1の半導体層のバンドギャップは上記第2の半導体層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする自励発振型半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-303778
半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-336373 出願人：松下電器産業株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-084300 出願人：株式会社日立製作所

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