特許

J-GLOBAL ID：200903051881920084

透明導電膜及びその製造方法

発明者： 山下 信樹 ,  米倉 義道 ,  森田 章二 ,  高野 暁己
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-233996
公開番号（公開出願番号）：特開2001-059157
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 IV族半導体発電層に熱的損傷を生じることなく、高透過率を示し、低抵抗のITOからなる透明導電膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 IV族半導体発電層の上に積層される透明導電膜であって、前記IV族半導体発電層に熱的損傷を及ぼさない150°C以下の温度域で、酸化インジウム・酸化錫複合酸化物の蒸気とともに水蒸気を作用させて成膜され、凹凸形状の表面を有する。

請求項（抜粋）：

IV族半導体発電層の上に積層される透明導電膜であって、前記IV族半導体発電層に熱的損傷を及ぼさない150°C以下の温度域で、酸化インジウム・酸化錫複合酸化物の蒸気とともに水蒸気を作用させて成膜され、凹凸形状の表面を有することを特徴とする透明導電膜。

IPC (4件)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/54 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

FI (4件)：

C23C 14/08 D ,  C23C 14/54 D ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B

Fターム (26件)：

4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA50 ,  4K029BB01 ,  4K029BB02 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB18 ,  4K029DB20 ,  4K029DB21 ,  4K029DC05 ,  4K029EA01 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029FA06 ,  5G307FA01 ,  5G307FA03 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-009906
  
• 特開昭56-009905
  
• 特開平4-242017