特許

J-GLOBAL ID：200903051882270253

EBマスクの設計方法及び装置

発明者： 小日向 秀夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-288752
公開番号（公開出願番号）：特開2002-099075
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 点接触パターンや微小ブリッジパターンを確実に検出して、チェッカーフラッグ問題に対処することが可能なEBマスクの設計方法及びEBマスク設計装置を提供する。【解決手段】 電子ビーム露光装置で用いられるステンシルタイプのEBマスクの設計方法であって、所定の長さ毎に区切ると共にマスク穴の面積密度が同等になるように、集積回路パターンを2つの相補パターンに分割し、相補パターンを構成する全てのパターンについて、パターンの辺と垂直な方向に走査線を発生させて隣接するパターンとの距離を測定し、最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離を各辺毎に記録し、最小距離がステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離であるしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位に、該隣接部位を支えるのに十分な面積を有する補助パターンを設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に集積回路パターンを描画するための電子ビーム露光装置で用いられるステンシルタイプのEBマスクの設計方法であって、所定の長さ毎に区切ると共にマスク穴の面積密度が同等になるように前記集積回路パターンを2つの相補パターンに分割し、前記相補パターンを構成する全てのパターンについて、前記パターンの辺と垂直な方向に走査線を発生させて隣接するパターンとの距離を測定し、最も近い隣接するパターンとの距離である最小距離を各辺毎に記録し、前記最小距離が前記ステンシルタイプのEBマスクが作成可能な距離である第1のしきい値以下の場合に、該最小距離で繋がるパターン間の隣接部位に、該隣接部位を支えるのに十分な面積を有する補助パターンを設けるEBマスクの設計方法。

IPC (3件)：

G03F 1/16 ,  G06F 17/50 658 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 1/16 E ,  G06F 17/50 658 M ,  H01L 21/30 541 S

Fターム (12件)：

2H095BA08 ,  2H095BB01 ,  2H095BB31 ,  5B046AA08 ,  5B046BA00 ,  5B046DA03 ,  5B046FA06 ,  5B046FA12 ,  5F056AA22 ,  5F056AA27 ,  5F056CA05 ,  5F056FA05