レーザアブレーション成膜方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203862
公開番号（公開出願番号）：特開2002-020859
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】形成される薄膜中の微粒子が低減されるとともに、成膜工程における基板温度の上昇を避けることのできるレーザアブレーション成膜方法を提供する。【解決手段】ターゲット支持台8に載置されたターゲット7を、ランプ15により所定の温度にて所定時間加熱する加熱工程と、加熱されたターゲット7を所定の温度まで冷却する冷却工程とを行なった後に、レーザ光をターゲット7に照射してターゲット7から原料物質を放出させ、基板保持台6に載置された基板5上に所望の薄膜を形成させる。

請求項（抜粋）：

ターゲットにレーザ光を照射することによって前記ターゲットから原料物質を放出させるとともに、放出された前記原料物質を基板上に堆積させて薄膜を形成する成膜方法であって、加熱手段を用いてターゲットを加熱する加熱工程と、加熱された前記ターゲットを、所定の温度まで冷却する冷却工程と、加熱された前記ターゲットにレーザ光源からの前記レーザ光を照射して、前記基板上に前記薄膜を形成する成膜工程と、を備えることを特徴とするレーザアブレーション成膜方法。

Fターム (10件)：

4K029AA02 , 4K029AA07 , 4K029BA34 , 4K029BA50 , 4K029BB10 , 4K029BC04 , 4K029CA01 , 4K029DB05 , 4K029DB17 , 4K029DB20

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-054097 出願人：シャープ株式会社
特開平4-311561
特開平4-206115

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