特許

J-GLOBAL ID：200903051885676293

半導体発光素子

発明者： 山口 敦司
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-235592
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060331
出願日： 2006年08月31日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】電極の直下部分の発光層からの発光を抑制して、光の取り出し効率を向上させることができるとともに、過電圧がかかった場合でも破壊を抑制することができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】ZnO層7上に、ショットキー用ZnO層6が積層され、ショットキー用ZnO層6の一部を残して、コンタクト用ZnO層5が形成されている。ショットキー用ZnO層6の一部とコンタクト用ZnO層5に接触するようにp型GaN系コンタクト層4が形成されており、その上には、MQW活性層3、n型GaN系コンタクト層2、n電極1が順に積層されている。n電極1の直下に相当する部分のZnO層がショットキー接合となるように構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも正負電極のどちらか一方の側に光を取り出す半導体発光素子であって、 電極とコンタクト層との接合領域の一部がショットキー接触を形成していることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 E

Fターム (7件)：

5F041AA04 ,  5F041AA23 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA93

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 発光素子構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-180118   出願人：三菱電線工業株式会社
• 特許第2856374号公報