特許
J-GLOBAL ID：200903051887505500
フォトダイオードアレイおよびその製造法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曽々木 太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096974
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267635
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 簡素な構造を有し、そのために製造工程での歩留まりが向上するとともに、製品コストの低減が図れるフォトダイオードアレイおよびその製造法を提供することを目的とする。【構成】 本発明のフォトダイオードアレイは、酸化膜2を有する半導体基板1に形成されたn型半導体層3が、高濃度p型不純物拡散層4により分離りされてなるブロック体3a内に形成されたp型不純物拡散層5及び高濃度n型不純物拡散層6からなるpn接合の光電変換体7が、配線パターンにより直列接続されてなるものである。また、本発明の製造法は、酸化膜2を有する半導体基板1の酸化膜2とn型半導体3を接合し、しかる後、このn型半導体3を高濃度p型不純物拡散層4により、ブロック体3aに分割して、このブロック体3a内にp型不純物拡散層5、このp型不純物拡散層5内に高濃度n型不純物拡散層6からなるpn接合の光電変換体7を形成し、この光電変換体7を直列接続してフォトダイオードアレイを作製するものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に積層された絶縁膜と、前記縁膜上に配設された第1不純物拡散層と、前記第1不純物拡散層内に形成された高濃度第2不純物拡散層からなる分離帯壁と、前記分離帯壁により前記第1不純物拡散層内に形成された複数の第1不純物拡散層のブロック体と、前記ブロック体内に該表面から形成された第2不純物拡散層と、前記第2不純物拡散層内に該表面から形成された高濃度第1不純物拡散層とからなる光電変換体と、前記光電変換体が形成された第1不純物拡散層表面に、所定パターンにて形成された電極形成用窓部を有する絶縁膜と、前記電極用形成窓部に形成された電極と、前記光電変換体を直列接続する前記電極間と接続された配線パターンと、前記ブロック体内に形成された第2不純物拡散層と、前記ブロック体を形成する第1不純物拡散層との間に形成された、寄生トランジスタをダイオード化するための配線パターンとからなることを特徴とするフォトダイオードアレイ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 A
, H01L 31/10 A
