特許

J-GLOBAL ID：200903051898919799

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 小出 典克 ,  高平 宜幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-107963
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190621
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 Si基板を用いて窒化物半導体発光素子を作製する際、基板と第1導電型の窒化物半導体層との間の中間層として、従来用いているAlN層では高抵抗のためSi基板側からの電流注入を行うことができない。【解決手段】 中間層としてAlGaInN層を用いて、低温で成長することによって、平坦性もよく、基板側からの電流注入が可能な窒化物半導体発光素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

Si基板と、その上に順次形成された第1導電型窒化物半導体と、発光層と、第2導電型窒化物半導体とを備えた半導体発光素子において、前記Si基板と前記第1導電型窒化物半導体との間に、AlxGayInzN(x+y+z=1,0≦y≦0.5,5/95≦z/x≦40/60)からなる中間層を具備することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (23件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CB15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53