特許
J-GLOBAL ID：200903051902834132
プレバイアスされた内部電子ポテンシャルを有する量子カスケ-ド光エミッタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268019
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101201
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 プレバイアスされた内部電子ポテンシャルを有する量子カスケード光エミッタを提供する。【解決手段】 QCレーザのSLを無電界に保つ試みの代わりに、SL周期を変えることにより、実際の電子ポテンシャルをプレバイアスし、上方及び下方ミニバンドの平均して本質的に平坦なプロフィルが得る。上方及び下方レーザレベルは、印加電界が無い時、第1のサブセット内で層から層へそれぞれ異なるエネルギーに位置し、印加電界が存在するにもかかわらず上方及び下方ミニバンドの所望のフラットバンド条件が実現される。第1のサブセット内のQW層の厚さは、印加電界の方向に増加するように、QW層からQW層へ変化し、障壁層の第2のサブセットの厚さも、印加電界の方向に減少又は増加するように障壁層から障壁層へ変化させる。
請求項（抜粋）：
複数のくり返しユニットを含み、各くり返しユニットはユニポーラ放射遷移(RT)SL領域及び注入/緩和(I/R)領域を含み、前記RTSL領域のそれぞれは複数の障壁層ではさまれた複数の量子井戸(QW)層を含み、前記QW層は上方及び下方ミニバンドを特徴とするエネルギー状態をもつQC活性領域を含むコア領域、及び前記ミニバンド内の上方及び下方エネルギーレベルにより決まるエネルギーにおいて、前記RT領域に光を発生させるのに効果的であるように、前記エミッタに電界を印加するための電極を含み、前記QW層の少なくとも第1のサブセット内で、内部の電子的ポテンシャルをプレバイアスし、それによって前記SL内で前記印加電界が存在するにもかかわらず、前記上方及び下方ミニバンドの両方の本質的なフラットバンド条件が存在することを特徴とする量子カスケード(QC)超格子(SL)光エミッタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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