特許

J-GLOBAL ID：200903051903497474

半導体装置の製造方法

発明者： 新井 ゆかり
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028169
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244073
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 表面に第1のパターン33a 〜33c が形成された基板31の裏面を基板の厚さが薄くなるよう研磨し、該研磨面に第1のパターンに対し所定の位置関係の第2のパターンを形成する際に、第1のパターンに第2のパターン形成用ホトマスクを片面アラインのみでアライメントできる方法を提供する。【構成】 第1のパターン形成済みの基板31であって裏面を研磨する前の基板の研磨予定面側から基板に、該研磨により除去される基板厚さ分Pより少なくとも深い深さd1 を有し、かつ、第1のパターン33a 〜33c に対し所定の配置関係となる穴部43a,43b を設ける。または、第1のパターン形成済みの基板であって裏面を研磨する前の基板の第1のパターン形成面側から基板に、該加工終了後の基板の厚さ分より深い穴部であって、第1のパターンに対し所定の配置関係となる穴部を設ける。その後、基板の裏面を研磨する。

請求項（抜粋）：

基板表裏の一方の面に第1のパターンが形成された基板の他方の面を該基板の厚さが薄くなるよう加工し、該加工終了面に前記第1のパターンに対し所定の位置関係の第2のパターンを形成し半導体装置を製造する方法において、第1のパターン形成済みの基板であって薄く加工する前の基板の該加工予定面側から該基板に、該加工により除去される基板厚さ分より少なくとも深い深さの穴部であって、第1のパターンに対し所定の配置関係となる穴部を設ける工程、または、第1のパターン形成済みの基板であって薄く加工する前の基板の該第1のパターン形成面側から該基板に、該加工終了後の基板の厚さ分より深い穴部であって、第1のパターンに対し所定の配置関係となる穴部を設ける工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/90