特許

J-GLOBAL ID：200903051904841934

化学気相堆積法によるブランケットタングステン膜の応力を低減する方法

発明者： 北崎 正樹 ,  田中 啓一
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-099478
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307480
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 成膜が低温で行われても膜応力を増大させないブランケットタングステン薄膜の応力を低減する方法を得ることを目的とする。【解決手段】 真空チャンバ12内を所定の真空度に減圧した後、WF6ガス、SiH4ガス及びH2ガスをそれぞれWF6ガス供給源30、SiH4ガス供給源32及びH2ガス供給源34からガス混合室28に供給して第1の混合ガスとし、ガス分配プレート18を経て、真空チャンバ12内に導入する。この時、ガス流量調節バルブ36,38,40によりガス流量を調節して、SiH4ガスがWF6ガスに対して過剰、すなわちWF6ガス/SiH4ガスの流量比が1以下となるように調節し、数秒程度の短時間前処理を行う。次いで、核を形成し、ブランケットW膜を成長させる。

請求項（抜粋）：

化学気相堆積法により基板上にブランケットタングステン膜を成膜する方法において、基板が収納された真空チャンバ内を所定の真空度に減圧する工程と、六フッ化タングステンガス及びモノシランガスを所定の割合で含み、六フッ化タングステンガス/モノシランガスの流量比が1以下となるように調節された第1の混合ガスを前記真空チャンバ内に所定時間導入し、前記基板の前処理を行う工程と、六フッ化タングステンガス及びモノシランガスを所定の割合で含む第2の混合ガスを前記真空チャンバ内に導入し、前記基板にブランケットタングステン膜の核形成を行う工程と、次いで六フッ化タングステンガス及び水素ガスを所定の割合で含む第3の混合ガスを前記真空チャンバ内に導入し、前記核形成を行った基板上にタングステン膜を成長させる工程とを含むことを特徴とする化学気相堆積法によるブランケットタングステン膜の応力を低減する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/14

FI (3件)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  C23C 16/14