半導体装置用基板の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094922
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288423
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】プリント配線板と、リードフレームのアイランドとの間に剥離が生じず、半導体装置に用いた場合に、より信頼性の高い半導体装置を得ることができる、かつ簡易な方法である、半導体装置用基板の製造方法を提供する。【構成】銅を主成分とする金属からなるリードフレームのアイランド2上に、接着材料1を介して、プリント配線板4を接着する第一工程と、前記リードフレームと前記プリント配線板を電気的に接続する第二工程とを含む半導体装置用基板の製造方法において、第一工程の前に、少なくともアイランド2の表面を、ペルオクソ二硫酸ナトリウムを用いて粗化処理する工程を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が銅を主成分とする金属からなり、アイランドを有するリードフレームのアイランド上に、接着材料を介して、プリント配線板を接着する第一工程と、前記リードフレームと前記プリント配線板を電気的に接続する第二工程とを含む半導体装置用基板の製造方法において、前記第一工程の前に、前記リードフレームの少なくともアイランドの表面を、ペルオクソ二硫酸ナトリウムを用いて粗化処理する工程を行うことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/12 , H01L 23/50

FI (3件)：

H01L 23/12 N , H01L 23/50 U , H01L 23/12 L

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